<p class="ql-block">陳星弼（1931年1月28日—2019年12月4日），生于上海，祖籍浙江浦江，是中國(guó)半導(dǎo)體器件物理與微電子學(xué)領(lǐng)域的奠基人之一，中國(guó)科學(xué)院院士，九三學(xué)社社員，生前為電子科技大學(xué)教授、博士生導(dǎo)師。他畢生致力于功率半導(dǎo)體器件的科學(xué)研究，以深邃的學(xué)術(shù)洞察力和堅(jiān)韌的探索精神，在國(guó)際學(xué)術(shù)舞臺(tái)上為中國(guó)科技贏得了崇高聲譽(yù)，堪稱新時(shí)代科學(xué)家精神的典范。</p> <p class="ql-block">1952年，陳星弼自國(guó)立同濟(jì)大學(xué)電機(jī)系畢業(yè)，開啟了他的教育與科研生涯。1953年，他執(zhí)教于南京工學(xué)院無(wú)線電系；1959年，響應(yīng)國(guó)家建設(shè)需要，奔赴成都，任教于成都電訊工程學(xué)院；1983年，投身電子科技大學(xué)微電子科學(xué)與工程系的教學(xué)與科研一線；1999年，當(dāng)選為中國(guó)科學(xué)院院士，標(biāo)志著其學(xué)術(shù)成就的巔峰；2019年12月4日，他在成都安詳離世，享年89歲，留下了一座巍然屹立的科學(xué)豐碑。</p> <p class="ql-block">1931年1月28日，陳星弼誕生于上海，自幼聰慧好學(xué)。1946年，轉(zhuǎn)入上海敬業(yè)中學(xué)繼續(xù)學(xué)業(yè)，打下堅(jiān)實(shí)的文化基礎(chǔ)。1952年，畢業(yè)于同濟(jì)大學(xué)電機(jī)系后，被分配至廈門大學(xué)電機(jī)系任助教。1953年，調(diào)入南京工學(xué)院無(wú)線電系（現(xiàn)東南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院）擔(dān)任講師。1956年，赴中國(guó)科學(xué)院應(yīng)用物理研究所進(jìn)修半導(dǎo)體技術(shù)，敏銳地把握了新興科技方向。1959年，他毅然西遷成都，加入成都電訊工程學(xué)院（今電子科技大學(xué)），將畢生心血傾注于西部高等教育與科研事業(yè)。</p> <p class="ql-block">1969年，他投身773廠，參與氧化鉛攝像管的研制，服務(wù)國(guó)家急需。1980年，作為訪問學(xué)者赴美國(guó)俄亥俄州大學(xué)深造；次年轉(zhuǎn)赴加州大學(xué)伯克利分校，開展新型半導(dǎo)體功率器件的前沿研究，拓寬國(guó)際視野。1983年，出任電子科技大學(xué)微電子科學(xué)與工程系系主任；1984年6月，擔(dān)任微電子研究所所長(zhǎng)，引領(lǐng)學(xué)科發(fā)展。此后，他多次赴加拿大多倫多大學(xué)、英國(guó)斯旺西大學(xué)進(jìn)行學(xué)術(shù)交流。1999年，當(dāng)選為中國(guó)科學(xué)院學(xué)部委員（院士），實(shí)至名歸。2001年，加入九三學(xué)社，積極參政議政。2019年12月4日，這位科學(xué)巨匠在成都辭世，享年89歲，但其精神長(zhǎng)存。</p> <p class="ql-block">早在20世紀(jì)50年代末，陳星弼便在國(guó)際上率先對(duì)漂移晶體管在飽和區(qū)工作的存儲(chǔ)時(shí)間問題進(jìn)行了系統(tǒng)而深入的理論分析，展現(xiàn)出卓越的科學(xué)預(yù)見力。他提出電荷法基本方程與不均勻介質(zhì)中的鏡像電荷方程，為半導(dǎo)體器件物理奠定了重要理論基礎(chǔ)。自80年代起，他聚焦功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)創(chuàng)新與理論突破，解決了p-n結(jié)耐壓終端技術(shù)中的關(guān)鍵難題，提出系列解析解。在MOS功率器件中，他攻克了導(dǎo)通電阻與耐壓之間的矛盾，發(fā)明了三種新型耐壓層結(jié)構(gòu)，顯著提升器件綜合性能。其中，橫向耐壓層結(jié)構(gòu)與CMOS和BiCMOS工藝兼容，為高壓功率集成電路的發(fā)展鋪平道路。</p> <p class="ql-block">1959年，陳星弼在《物理學(xué)報(bào)》發(fā)表首篇論文《關(guān)于半導(dǎo)體漂移三極管在飽和區(qū)工作時(shí)的儲(chǔ)存時(shí)間問題》，開啟學(xué)術(shù)征程。此后，他筆耕不輟，撰寫了《論晶體管電荷控制法的基礎(chǔ)》《一維不均勻媒質(zhì)中的鏡像法》《表面復(fù)合的漂移及擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的影響》《小注入下晶體管I_c-V_（BE）特性的指數(shù)因子的研究》等經(jīng)典論文，深刻影響了器件物理的發(fā)展。他出版《半導(dǎo)體物理》（上下冊(cè)）、《固體物理》《晶體管原理》《晶體管原理與設(shè)計(jì)》《功率MOSFET與高壓集成電路》等權(quán)威專著，成為幾代學(xué)子的啟蒙教材。截至2019年12月，他在IEEE TED、IEEE EDL、SSE等國(guó)際頂級(jí)期刊及ISPSD等重要會(huì)議發(fā)表論文逾130篇，出版著作8部、譯著2部，學(xué)術(shù)成果豐碩，影響深遠(yuǎn)。</p> <p class="ql-block">陳星弼共申請(qǐng)中國(guó)發(fā)明專利20項(xiàng)，其中17項(xiàng)已獲授權(quán)；申請(qǐng)美國(guó)發(fā)明專利19項(xiàng)，16項(xiàng)已授權(quán)，另有兩項(xiàng)獲授權(quán)通知；另申請(qǐng)國(guó)際發(fā)明專利1項(xiàng)。他提出的“超結(jié)耐壓層”理論，突破傳統(tǒng)“硅極限”的物理瓶頸，開創(chuàng)了功率器件新紀(jì)元。該發(fā)明專利成功實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，催生全球“超級(jí)結(jié)”器件市場(chǎng)，年銷售額逾10億美元，彰顯中國(guó)原創(chuàng)科技的全球競(jìng)爭(zhēng)力。</p> <p class="ql-block">陳星弼曾獲國(guó)家發(fā)明獎(jiǎng)與科技進(jìn)步獎(jiǎng)2項(xiàng)，省部級(jí)獎(jiǎng)勵(lì)13項(xiàng)。2015年，其“高壓功率MOSFET理論與設(shè)計(jì)”成果榮獲國(guó)際功率半導(dǎo)體先驅(qū)獎(jiǎng)，這是國(guó)際同行對(duì)其開創(chuàng)性貢獻(xiàn)的高度認(rèn)可。2018年，他參與的教學(xué)成果“電子信息硬件類創(chuàng)新人才的‘兩融合、三互動(dòng)、四訓(xùn)練’培養(yǎng)模式構(gòu)建與實(shí)踐”榮獲教育部高等教育國(guó)家級(jí)教學(xué)成果二等獎(jiǎng)。1990年出版的《功率MOSFET與高壓集成電路》教材獲電子部教材一等獎(jiǎng)，成為行業(yè)經(jīng)典。</p> <p class="ql-block">從教數(shù)十載，陳星弼主講課程逾十門，涵蓋量子力學(xué)、半導(dǎo)體器件物理、半導(dǎo)體工藝、功率MOS等，課程內(nèi)容前沿而系統(tǒng)。他在校期間牽頭籌建學(xué)科梯隊(duì)與實(shí)驗(yàn)室，積極參與碩士點(diǎn)、博士點(diǎn)申報(bào)，為電子科技大學(xué)微電子學(xué)科的崛起奠定基石。他不僅傳授知識(shí)，更注重育人，倡導(dǎo)理工科學(xué)生兼修人文素養(yǎng)，常節(jié)選古文與學(xué)生共讀，認(rèn)為語(yǔ)言文學(xué)能啟迪思維、錘煉表達(dá)，助力科研創(chuàng)新。他鼓勵(lì)學(xué)生拓寬視野，追求全面發(fā)展，真正踐行了“立德樹人”的教育初心。</p> <p class="ql-block">“陳院士的發(fā)明是中國(guó)人民的智慧瑰寶，也是全世界人民的共同智慧財(cái)產(chǎn)，該專利發(fā)明標(biāo)志著半導(dǎo)體功率器件發(fā)展進(jìn)入了一個(gè)叫作‘超級(jí)結(jié)’功率器件的新時(shí)代?！薄绹?guó)德克薩斯大學(xué)電子工程系終身正教授周電如是評(píng)價(jià)。“在功率器件領(lǐng)域，他通過出色的研究工作單槍匹馬讓中國(guó)的研究進(jìn)入國(guó)際學(xué)術(shù)舞臺(tái)。與我們現(xiàn)在的科研條件相比，他是在資源極其有限的情況下實(shí)現(xiàn)這一巨大成就的?！薄幽么罂茖W(xué)院院士、前院長(zhǎng)，中國(guó)科學(xué)院外籍院士Jamal教授由衷贊嘆。這兩位國(guó)際權(quán)威的評(píng)價(jià)，正是陳星弼作為科學(xué)偶像最真實(shí)、最崇高的注腳。</p>