DWL 66+激光直寫光刻系統(tǒng)是高性價比、高分辨率的圖形發(fā)生器，適用于小批量掩膜版制作和直寫需求。DWL 66+激光直寫光刻系統(tǒng)具有多種選配模塊，如對準系統(tǒng)、不同波長的激光發(fā)生器以及自動上下板加載系統(tǒng)等，能夠滿足各種精度要求。它是生命科學、先進封裝、MEMS、微光學、半導體等領域重要的光刻研究工具。<br> 核心技術規(guī)格<br> 核心技術規(guī)格涵蓋光源、分辨率、基板適配等多個關鍵維度，具體參數如下：<br> 光源配置：提供兩種可選方案，405nm二極管激光器、375nm紫外二極管激光器。<br> 分辨率表現：XR高分辨率模式可實現200nm最小特征尺寸，處于市場同類激光直寫系統(tǒng)先進水平，滿足高精度微納結構制造需求。<br> 寫模式與灰度等級：配備6種寫模式，最小特征尺寸覆蓋200nm-4μm；支持65536級專業(yè)灰度模式，標準模式提供128級或32768級選擇，可精準制造復雜2.5D微結構。<br> 基板兼容性：尺寸適配3×3mm至9"×9"（支持定制更大尺寸），厚度0-12mm，無材質限制，可穩(wěn)定處理平面及曲面基板；曝光面積達200×200mm，滿足中大型樣品加工。<br> 定位與對焦精度：采用干涉儀位置控制與實時光束位置校正相結合，高精度配置下第二層對準精度達350nm；自動對焦系統(tǒng)（光學或氣壓計），補償范圍80μm，適配透明或低反射率基板。<br> 環(huán)境控制與運行效率：集成層流箱，溫度穩(wěn)定性±0.1°C，營造ISO 4級潔凈環(huán)境；6英寸晶圓10分鐘曝光，4μm模式+405nm激光下寫入速度2000mm/min。<br> 系統(tǒng)物理參數：光刻單元尺寸1300mm×1100mm×1950mm，重量1000kg，需配備專用安裝空間。<br> 激光直寫光刻系統(tǒng)<br> https://www.huazhaotech.com/Products-39809160.html<br> https://www.chem17.com/st670748/product_39809160.html